Общеизвестно, что для придания полупроводниковому кремнию нужных электрических свойств необходимо введение в кристалл примесных атомов. Необходимым условием при этом является однородность распределения примесных атомов по объему кристалла, что, в свою очередь, обеспечивает однородность распределения удельного электрического сопротивления. Обычные методы легирования не могут обеспечить требуемого уровня однородности распределения легирующей примеси в объеме монокристалла, особенно при выращивании монокристаллов больших размеров. Только метод ядерного (нейтронно-трансмутационного) легирования позволяет получать высококачественный монокристаллический кремний, отвечающий современным требованиям силовой электроники и электроэнергетики по однородности, стабильности и воспроизводимости свойств.
Метод основан на ядерных превращениях, протекающих при захвате тепловых нейтронов ядрами изотопа кремний-30 с последующим образованием в монокристалле кремния изотропно распределенной легирующей примеси фосфор-31.
Метод основан на ядерных превращениях, протекающих при захвате тепловых нейтронов ядрами изотопа кремний-30 с последующим образованием в монокристалле кремния изотропно распределенной легирующей примеси фосфор-31.
It is well known that in order to impart the necessary electrical properties to semiconductor silicon, the introduction of impurity atoms into the crystal is necessary. A prerequisite for this is the uniformity of the distribution of impurity atoms over the crystal volume, which, in turn, ensures the uniformity of the distribution of electrical resistivity. Conventional doping methods cannot provide the required level of uniformity in the distribution of the dopant in the bulk of a single crystal, especially when growing large single crystals. Only the method of nuclear (neutron-transmutation) doping allows one to obtain high-quality single-crystal silicon that meets modern requirements of power electronics and electric power industry in terms of uniformity, stability, and reproducibility of properties.
The method is based on nuclear transformations that occur during the capture of thermal neutrons by the nuclei of a silicon-30 isotope with the subsequent formation of an isotropically distributed dopant phosphorus-31 in a silicon single crystal.
The method is based on nuclear transformations that occur during the capture of thermal neutrons by the nuclei of a silicon-30 isotope with the subsequent formation of an isotropically distributed dopant phosphorus-31 in a silicon single crystal.
У записи 15 лайков,
0 репостов,
710 просмотров.
0 репостов,
710 просмотров.
Эту запись оставил(а) на своей стене Дмитрий Синельник
